SK海力士：DRAM产能将于2034年前增至三倍，内存短缺问题依然存在

韩国DRAM制造巨头SK海力士以开发面向消费级和企业级应用的存储解决方案、DRAM及内存模块而闻名，其中包括用于AI数据中心的HBM高带宽内存，该公司近日宣布了一项里程碑式的进展。该公司预测，到2034年，其整体硅片产能将增长至三倍，比此前预期提前了十年。

SK海力士目前正在韩国龙仁市建设四座大型芯片制造与生产工厂。这一庞大项目的初期阶段计划于2027年初完工。

据SK集团董事长崔泰源透露，整个建设路线图已大幅提速。SK集团最初预计DRAM和内存制造工厂将于2045年完工，但现在这一时间节点已提前至2034年。

崔泰源还接受了《日经亚洲》的专访 并详细阐述了SK海力士项目的宏大规划。他表示：

“由于我们正全力推进扩产计划，据测算，我们的晶圆产能将在五年内翻一番。 但坦白说，一旦这些设施全部建成，产能不仅会翻倍，到2034年左右还将增至三倍。”

针对那些希望未来能轻松买到内存芯片的人，他冷静地表示：“目前不可能比这更快了。 人们已经开始说，即便如此也不够。”

尽管这些预测和加速的时间表是提升DRAM产量、增加整体供应的重要步骤，但仍无法缓解来自AI数据中心和超大规模企业的当务之急和需求压力。 预计DRAM和HBM内存将持续短缺至2030年，由于芯片短缺仍在持续，许多公司正提供预付款和多年预订服务。

随着三星、SK海力士和美光扩大芯片生产，预计未来几年内存生产工厂将增加。

无论SK集团如何乐观地描述，内存短缺仍在持续，内存和存储价格已创历史新高，到2026年，某些DRAM和HBM内存芯片的价值甚至真的会超过其重量的黄金价值。

消费级DRAM价格正朝着创纪录高位迈进，市场已再次将预期中的短缺因素计入价格。亚马逊上的一套32GB DDR5海盗船内存套装在过去3个月内从370美元涨至440美元，涨幅达19%。