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不要将SK海力士54.3万亿韩元的晶圆厂计划解读为RAM价格将有所缓解

图为SK海力士绘制的龙仁半导体集群效果图。
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图为SK海力士绘制的龙仁半导体集群效果图。
8月7日,SK海力士批准了54.3万亿韩元用于新建DRAM和NAND芯片厂。首批洁净室将于2028年12月和2029年6月投入使用,该公司表示将仅在需求有保障时才安装设备——这并非解决RAM价格问题的短期对策。
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8月7日,SK海力士董事会批准了约54.3万亿韩元(约合386亿美元)的资金,用于建设两座新晶圆厂: 龙仁“Y2”厂区35.2万亿韩元(约合250亿美元),清州“M17”厂区19.1万亿韩元(约合136亿美元)。 Y2是DRAM生产基地,M17是NAND生产基地,上述两项金额仅涵盖建设成本;Y2的设备采购费用可能高达120万亿韩元(约合852亿美元),这将使该项目的总投资额突破150万亿韩元(约合1065亿美元)。

对于近期查询过32 GB DDR5内存套装价格的人来说——本月价格约为600美元,而不久前同款套装仅需100美元——自然会认为这预示着价格飙升即将结束。 然而,时间节点却揭示了截然不同的情况。M17将于2028年12月启用首个洁净室,Y2则定于2029年6月启用,而Y2甚至要到2027年7月才破土动工。洁净室的启用标志着设备安装和认证工作的开始,而非产品出货的起点。 更近在眼前的里程碑是Y1,预计将于2027年2月左右竣工,随后在第二季度进行设备安装。

SK海力士新闻稿中的一句话,其重要性甚至超过了标题中的数字。这家半导体巨头表示,将按照总体计划建设晶圆厂,但会根据需求趋势,分阶段扩建洁净室并安装设备,以最大限度地提高资本效率。

换言之,该公司将提前完成厂房建设,而将规模更大的设备采购支出推迟至需求得到确认之后。Y1项目将分为六个洁净室,预计到2030年上半年将达到每月36万片DRAM晶圆的产能。

产品组合对消费者而言也并不利好。Y2将生产高带宽内存及其他新一代DRAM,而正是HBM的产能分配,才导致普通DDR5最初被挤出晶圆厂。 SK海力士目前约30%的DRAM晶圆产能用于生产HBM,分析师预计到2027年这一比例将接近40%。

SK海力士自身的表述是此处最明确的信息。 该公司将此称为“结构性转型”,而非暂时的超级周期。该公司援引Omdia的预测,称DRAM和NAND在2030年前将保持19%的年增长率。这意味着,该供应商将当前价格视为基准,并据此进行产能布局。

来源

SK海力士新闻中心、Trendforce (1) (2)

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Anubhav Sharma, 2026-08- 8 (Update: 2026-08- 8)