SK hynix 开始量产 321 层 2 位 QLC NAND

SK hynix 已开始量产其 321 层、2-terabit（250 千兆字节）QLC NAND。量产其 321 层、2-terabit（250 千兆字节）QLC NAND，据称这是首款突破 300 层大关的 QLC 器件。首批商用产品计划于明年上半年推出，但还需等待客户验证。

与前几代 QLC 相比，该公司将单芯片容量提高了一倍，并将每个芯片内的平面数从四个增加到六个。更多的平面可以实现更强的并行处理能力，从而在不影响延迟的情况下显著提高同步读取性能。SK hynix 声称，新的 QLC 将数据传输速度提高了一倍，写入性能提高了 56%，读取性能提高了 18%。写入能效也提高了 23% 以上，这对于电力紧张的人工智能数据中心来说非常重要。

在接口方面，这些 V9Q 芯片的运行速度为每秒 3,200 兆次传输，略低于每秒 3,600 兆次传输的高端 TLC NAND；但是，架构上的改进为 QLC 工作负载带来了显著的性能优势。六平面布局是关键的改进之处，也是同步读取速度提高的主要原因。

密度带来了额外的优势。一个 2 太比特的客户端固态硬盘只需 8 个这种 2 太比特芯片就能制造，从而减少了封装数量和材料清单。SK hynix 计划从 PC 固态硬盘开始，在完成验证后，再扩展到用于数据中心的企业固态硬盘和用于手机的 UFS。

对于超高容量，该公司的32DP封装可以在一个封装中堆叠32个芯片，最大限度地提高集成密度。SK hynix 指出，公司正在开发一款企业级硬盘，目标容量为 244 TB，主要面向需要大容量存储和高效功耗的人工智能服务器，用于数据中心部署。