据报道，SK hynix 将 DRAM 和 NAND 合并为统一的高带宽存储包，以提高设备上的人工智能性能

据报道，SK hynix 通过一项创新实现了一个重要的里程碑，这项创新可能会改变移动设备处理人工智能的方式。该公司的新型混合架构 "高带宽存储（HBS）"融合了DRAM和NAND，实现了更高的数据速度、更低的延迟和更高的能效。

据 ETNews 报道，SK hynix 希望其新技术能提升智能手机的人工智能性能。

面向人工智能移动设备的下一代内存

SK hynix最新创新的关键部分是垂直导线扇出（VFO）技术。VFO是一种允许多达16层DRAM和NAND垂直堆叠的方法，同时它们以直线连接。采用这种工艺，SK hynix 可以减少信号损耗和传输距离，因为不需要传统封装中常见的弯曲布线。

因此，HBS 封装的数据处理时间更短，效率更高。这为移动设备带来了带宽改进，类似于高带宽内存（HBM）提升了 GPU 和人工智能服务器的性能。

更小、更快、更酷

据 SK hynix 称，其新型 VFO 工艺可将布线要求降低 4.6 倍。功耗降低了 5%，散热性能提高了 1.4%。这家韩国公司还将封装高度降低了 27%，使移动设备更加轻薄，工作温度更低。

SK hynix 还节省了生产成本，因为与 HBM 不同，HBS 不需要硅通孔（TSV）制造，即通过在硅片上钻孔和填充微孔来垂直连接堆叠的芯片。此外，这还有助于提高产量，这对扩大生产规模至关重要。

为移动芯片带来人工智能性能

当与应用处理器（AP）搭配时，SK hynix 的 HBS 模块将使智能手机和平板电脑能够更好地处理人工智能工作负载。该公司已将基于VFO的DRAM封装应用于Apple's Vision Pro.