SK Hynix 在 M16 工厂组装首台用于量产的高纳秒级 EUV 光刻工具

SK Hynix宣布SK Hynix 宣布，该公司已在韩国利川的 M16 工厂组装了业内首套用于量产的高纳秒级 EUV 光刻系统。来自 SK Hynix 研发和制造部门的高管以及 ASML 的 SK Hynix 客户负责人在现场活动中庆祝了这一里程碑事件。该系统的目标是加快下一代 DRAM 的开发和供应，同时加强国内人工智能内存的领先地位，并通过与合作伙伴的紧密合作提高供应链的稳定性。这一里程碑标志着 SK Hynix 已领先于其他仍依赖 Low-NA EUV 的竞争对手。

ASML TWINSCAN EXE:5200B 系统的 NA（数值孔径）比其 Low-NA 对应设备高出约 40%，从而使单次曝光的特征尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高约 2.9 倍。该设备可实现 8 纳米的高分辨率，比目前低 NA 系统实现的 13 纳米分辨率有了显著提高。ASML 将这一里程碑称为 "翻开了新的篇章"。

最初，SK Hynix 计划快速制作新 DRAM 结构的原型，包括电容沟槽、位线和字线，以加速节点开发。该公司还计划简化现有的 EUV 工艺流程，以提高开发成熟后的成本竞争力。

未来的 DRAM 预计将过渡到 High-NA EUV（2030 年代左右）；因此，该工具可以尽早实现这一目标。自 2021 年以来，SK Hynix 已将其 EUV 扩展到 DRAM 领域，这一里程碑标志着其下一代 DRAM 生产迈出了新的一步。

SK Hynix 是首批在量产现场组装高纳 EUV 系统的公司之一，这使其领先于美光和三星，在市场上具有竞争优势。ASML 以前曾在英特尔的 D1X 工厂制造过试生产的高纳系统（其 NXE:5000 系列），但 SK Hynix 的安装标志着新的 EXE:5200B 系统首次在面向批量生产的客户工厂组装。