SK Hynix 前工程师被起诉为华为关联公司窃取先进 HBM 技术

一名前 SK Hynix 工程师被拘留并被正式起诉，罪名是涉嫌窃取先进的半导体知识，其中包括先进半导体知识，尤其是 下一代高带宽内存(HBM)封装工艺，并试图将其传给华为下属的海思。检察官将相关技术描述为韩国芯片行业的 "未来增长引擎"。

据首尔中央地方检察官办公室称，这名员工（仅被称为 Kim）在 SK Hynix 的中国子公司工作，在收到海思的工作邀请后开始收集敏感文件。调查人员称，Kim 打印了内部文件，删除了安全标记，并拍摄了大约 11,000 页的专有数据，包括互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器和 HBM 制造步骤的机密路线图。

据报道，缓存中包含了混合键合的详细信息，SK 海力士和三星都在为即将推出的几代 HBM 评估这种堆叠技术。混合粘合技术可以缩小芯片尺寸，同时显著提高带宽和能效--这些优势被认为对人工智能加速器和其他高性能工作负载至关重要。

金正日的计划在本月初开始瓦解。工业技术调查人员对他的活动进行了几个月的跟踪，并在出发前不久在仁川国际机场截获了他。根据韩国的《防止泄露和保护工业技术法》，他现在面临指控，该法允许判处长达 10 年的监禁和大约相当于 71,000 美元的罚款；如果半导体等 "战略部门 "受到影响，刑罚会更重。

当局援引此前涉及三星的案件称，这一事件是企图向中国公司转让知识产权的更广泛模式的一部分。随着对尖端内存解决方案需求的增加，检察官承诺将采取 "严厉的应对措施"，以保护国内创新和国家经济利益。