中国CXMT公司在生产HBM3E内存芯片方面取得重大突破

据《The Information》最新报道，中国领先的半导体制造商CXMT已正式启动HBM3E内存的风险量产。 尽管从技术层面看，这一成就意味着中国代工厂仍落后于韩国竞争对手约两代——后者已开始为向HBM4E过渡做准备——但这对中国的本土芯片供应链而言仍是一次巨大的飞跃，也是减少对西方技术依赖的努力中一个非常重要的里程碑。

尽管CXMT目前尚未透露其HBM3E芯片的具体规格，但标准的JEDEC指南已清晰揭示了其内部架构的概况。 该产品采用1,024位接口，每针脚传输速率在9.2至12.4 Gbps之间，大多数标准配置均以9.6 Gbps这一最佳速率为目标。 这意味着总带宽将高达惊人的1.2 TB/s，容量则可达到24 GB（采用8层堆叠）或36 GB（采用12层堆叠）。 目前，“试产”阶段的芯片良率微乎其微，但CXMT素以在相对较短的时间内跳过早期测试、直接进入量产而闻名。如果几周内就启动大规模量产，也不会让人感到意外。

这种激进的推进节奏也体现在其物理占地规模上。 CXMT仅用12个月就匆忙建成了晶圆厂洁净室，这大约是半导体行业通常所需时间的一半。目前，该公司在合肥和北京运营着两座主要的12英寸晶圆厂，月产量合计约20万片。 到今年年底，这一数字有望达到35万片，且根据发展路线图，一旦上海和合肥的新工厂投产，其月产量将从目前的水平翻三倍，达到惊人的60万片。

拥有国内HBM供应来源，对于中国主导人工智能竞赛的计划无疑是个好消息，但消费级DRAM的生产能力又如何呢？ CXMT最近开始为消费级内存模块供应DDR5芯片，因此人们曾寄希望于此类内存的价格终于能迎来亟需的回落。然而，由于高带宽内存（HBM）需要将多个DRAM芯片堆叠到单个封装中，其制造过程对资源消耗极其巨大。 如果由人工智能驱动的对HBM的需求继续飙升，CXMT庞大的新晶圆产能可能会被高带宽热潮所吞噬。因此，标准DRAM的价格可能会持平，甚至至少在今年剩余时间内继续上涨。