YMTC 和 CXMT 着眼于 HBM 合作，推动中国人工智能内存发展

据报道，中国领先的 NAND 闪存制造商扬子江存储科技公司（YMTC）计划进军 DRAM 市场。据报道，中国领先的 NAND 闪存制造商扬子江存储科技股份有限公司（YMTC）计划进军 DRAM 市场。据报道，中国领先的 NAND 闪存制造商扬子江存储科技股份有限公司（YMTC）计划进军 DRAM 市场。如果双方继续合作，将联合中国顶级的 NAND 和 DRAM 企业。此举反映了 HBM 在行业中日益重要的地位。

美国的政策转变增加了复杂性。美国工业与安全局在 2024 年 12 月的规则制定中增加了对 HBM 的明确控制，并进一步收紧了对芯片制造工具的准入，这使中国推动先进存储器规模化的工作变得更加复杂。中国晶圆厂的许可也变得更加细化；例如，有报道称台积电南京工厂失去了快速通道资格。因此，出口规则现在直接决定了任何本地 HBM 努力的时间和范围。

能力差距依然存在。据报道，CXMT 已经生产出 HBM2，并正在快速向 HBM3 迈进，中国的消息来源称，生产可能在 2026 年至 2027 年之间开始。分析人士认为，尽管进展正在加快，但 CXMT 仍比韩国竞争对手落后几年。虽然差距很大，但如果封装和集成度同步提高，中国可以建立强大的本地供应能力。

YMTC 带来的是混合键合技术，而非 DRAM 经验。其 Xtacking 架构采用晶圆到晶圆键合，赢得了第三方的积极评价。随着堆叠高度的增加和热管理的重要性，这种方法非常适合 HBM。本地封装生态系统正在形成。CXMT 和武汉新芯正在开发 HBM 封装，同方微电子已开始组装。连接内存和处理器的先进封装是 HBM 制造的核心。

其他报道称，YMTC 计划购买用于 DRAM 研发的设备。该公司可能与 CXMT 合作开发用于 HBM 的下一代 DRAM，并在短期内扩大生产。专家认为，这种潜在的合作关系是与韩国公司竞争的长期策略。有限的工具使用权和客户资质要求可能会促使中国早期的 HBM 产品转向国内客户。