三星在 GTC 2026 上发布 HBM4E，突破 16 Gbps 大关

三星利用 Nvidia GTC 2026 预览了其下一步人工智能内存路线图，HBM4E 与该公司新近商业化的 HBM4 在展会上首次亮相。该公司表示，HBM4 现已量产，用于 Nvidia Vera Rubin 平台，而 HBM4E 则作为其更高带宽的后继产品亮相，用于下一代数据中心工作负载。

三星将 HBM4 和 HBM4E 置于其 GTC 信息的中心位置

三星在 GTC 2026 展台的中心是 HBM4，该公司表示，HBM4 目前已投入量产，专为Nvidia 的 Vera Rubin 平台而设计。.三星表示，该内存可提供标准的 11.7 Gbps 处理速度，高于其引用的 8 Gbps 行业基准，并可提升至 13 Gbps。

较新的 HBM4E 是更大的前瞻性亮点。三星表示，它将在 GTC 2026 大会上首次展示该部件，其性能目标为每个引脚 16 Gbps，带宽 4.0 TB/s。该公司还展示了混合铜键合技术，称该技术将使未来的 HBM 堆叠层数达到 16 层或更多，同时与热压键合技术相比，热阻降低 20% 以上。

此次发布还扩大了三星在 Nvidia 基础设施方面的优势

三星利用此次发布的内存产品，将自己定位为以 Nvidia 为中心的 AI 基础设施的更广泛供应商，而不仅仅是 HBM 供应商。三星表示，在其展台以 Nvidia 为中心的独立区域，它还重点展示了专为 Nvidia AI 系统设计的 SOCAMM2 服务器内存和 PM1763 SSD 存储，而 PM1753 SSD 则作为 Nvidia 的 BlueField-4 STX 参考架构的一部分在 Vera Rubin 上展示，用于加速存储基础设施。

三星表示，SOCAMM2 已经开始量产，并将其描述为基于 DRAM 的低功耗服务器内存模块，面向下一代人工智能基础设施。该公司表示，在存储方面，PM1763 使用 PCIe 6.0 实现更快的传输和更高的容量，而 PM1753 则围绕推理工作负载的能效和系统性能展开。

三星将此次发布与人工智能工厂和本地人工智能雄心联系在一起

除了数据中心内存，三星还利用 GTC 2026 强调其半导体和制造业务如何与 Nvidia 的 AI 软件栈相连接。该公司表示，它计划使用 Nvidia 加速计算和 Omniverse 库来扩展其 AI 工厂工作，并加快其内存、逻辑、代工和高级封装业务中基于数字孪生的制造。

三星还利用这一声明大谈本地 AI 硬件。在 GTC 上，该公司表示将展示用于 Nvidia DGX Spark 的 PM9E3 和 PM9E1 NAND，以及用于高端移动和边缘 AI 设备的 LPDDR5X 和 LPDDR6 内存。三星表示，LPDDR5X 每引脚速度可达 25 Gbps，功耗降低 15%；LPDDR6 每引脚速度为 30 至 35 Gbps，并为未来的边缘 AI 工作负载增加了电源管理功能。