中国成功研制出超紫外设备样机

路透社https://www.reuters.com/world/china/how-china-built-its-manhattan-project-rival-west-ai-chips-2025-12-17/报道称，在几位前 ASML 工程师的帮助下，中国在深圳的一家实验室成功开发出了一台 EUV（极紫外）光刻机。这一进展证实了 此前的传言这标志着中国芯片制造能力的重大突破，有可能使中芯国际等中国代工厂生产出可与台积电、英特尔和三星竞争的先进芯片。据说这项工作是秘密进行的，前工程师使用化名。

不过，EUV 机器还不能生产芯片。预计它将在 2028 年或最晚在 2030 年全面投入使用。届时，竞争对手很可能已经过渡到 ASML 开发的下一代光刻技术--高纳极紫外光（High-NA EUV）。此外，由于 ASML 缺乏官方支持，中国需要自行生产所有产品，因此扩大生产规模将面临挑战。此外，中国还必须从尼康和佳能等不同供应商那里采购二手零部件。

到目前为止，中国只能依靠上一代 DUV（深紫外）设备--这也是中国唯一能从 ASML 合法获得的设备。中芯国际的 N+3 节点将 DUV 推向了极限，制造出了 5 纳米级芯片，如 麒麟 9030.随后的一项专利讨论了将该技术 技术推进到 2 纳米。.随着最近 EUV 技术的突破，由于其复杂性和糟糕的产量，可能不需要这种技术了。