华为向不使用 EUV 的 2 纳米级节点迈进了一步

几天前，华为展示了其首款采用中芯国际 N+3 节点制造的 5 纳米级智能手机 SoC。这颗 麒麟 9030为华为最新的 Mate80 系列产品提供了动力。现在，华为似乎即将实现下一个突破：2 纳米。半导体研究员Frederick Chen 博士发现了华为的专利但直到最近才公布；该专利尚未获得批准。

该专利讨论了利用现有的 DUV 基础设施实现 21 纳米金属间距，这将使其与台积电和其他公司的 2 纳米产品相当。在正常情况下，DUV 激光器需要多次曝光，但华为想出了通过 SAQP（自对齐四重图案化）将曝光次数减少到四次的办法。

可以理解的是，有人对这种技术的商业可行性持怀疑态度。首先，它的产量太低，不具备商业可行性。即使可行，也无法与基于 EUV 的解决方案相提并论。

早前有报道称，中国正在研究 本土超紫外工具以及使用碳纳米管半导体的 3 纳米节点。最近这方面的信息不多。由于中国对其芯片制造实力的保密态度，即使成功，也不会在短期内正式公布。