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美国将以年度场地许可证取代三星和 SK hynix 中国晶圆厂 VEU,以限制升级

美国将以年度场地许可证取代三星和 SK Hynix 中国晶圆厂 VEU,限制升级(图片来源:三星)
美国将以年度场地许可证取代三星和 SK Hynix 中国晶圆厂 VEU,限制升级(图片来源:三星)
华盛顿计划将三星和 SK hynix 的中国工厂 VEU 换成年度现场许可证,预先批准固定数量的受限工具、零部件和材料。
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美国计划三星和 SK 海力士中国工厂目前的 VEU 许可将被年度 "现场许可证 "所取代。这些许可证将规定每年预先批准的受限工具、部件和材料的数量。这样做的目的是在阻止升级或扩建的同时,保持现有工厂的运行。VEU 在年底到期。韩国官员认为这一新规定是可行的,但担心会增加官僚主义。

这些出口限制的起源可以追溯到 2022 年,当时的第一批管制措施针对的是先进逻辑(16 纳米 FinFET 左右)、DRAM(18 纳米半间距)和 3D NAND(128 层或以上)。当时,VEU 系统给予三星和 SK Hynix 永久批准,条件是它们必须满足某些监控和安全承诺。

在引入这些控制措施后,拜登时代的豁免权被签发,以放宽操作。现在,特朗普新政府正在采取行动,通过撤销 VEU 和实施年度现场许可证来堵住拜登时代的 "漏洞"。

在拟议的制度下,企业每年只需提交一份申请,列出具体项目和数量即可。这一变化让美国在发货前有了更多的提前通知,但却增加了公司规划的难度,尤其是因为他们无法总是预测工具何时会损坏,何时需要更换零件。美国官员称,紧急许可证可以快速处理,但业内许多人对这种说法表示怀疑。

这些变化引发了人们对 DRAM 和 NAND 稳定供应的担忧。如果设备在年中出现故障或新的出货被推迟,智能手机和数据中心的零部件就会受到影响,可能导致全球短缺。这一政策再次使首尔在其主要盟友和最大贸易伙伴之间陷入困境。

资料来源

彭博社(英语)

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Nathan Ali, 2025-09-11 (Update: 2025-09-11)