据报道，华为正在开发两种不同的 3 纳米芯片

如果来自中国的传言属实，中芯国际已成功为华为制造出首款 5 纳米芯片：麒麟 X90。 麒麟 X90.中芯国际没有使用 ASML 最先进的 EUV 机器就完成了这一壮举。由于贸易限制，该公司不得不使用效率较低的基于 DUV 的对应设备。UDN 的一份最新报告的一份新报告谈到了华为半导体业务的未来计划。

这家中国科技巨头已开始研究基于 GAA FET 的 3 纳米节点，预计将于 2026 年某个时候推出。如果没有任何发展上的障碍，理想情况下应在 2027 年开始量产。另外，基于碳纳米管的 3 纳米芯片也在研究之中，但目前尚无进展。

不过，产量仍将是一个问题。据说上述 5 纳米节点的良品率只有可怜的 20%，而 3 纳米节点的良品率只会更低，因为 DUV 多重图案技术涉及到额外的复杂性。但是，如果中国能像台积电、三星和英特尔代工厂一样转而采用 EUV 技术，这种情况可能会有所改观。

中国已经开始研发本土的 EUV 机器。X 用户 @zephyr_z9说，华为正在积极测试 EUV 技术，据说到 2026 年就能实现量产。不过，前 ASML 工程师@lithos_graphein说，这不太可能，因为 "ASML 的护城河是巨大而无争议的"。

不过，即使中国真的准备好了 EUV 工具，也不会公开披露。据报道， 370 亿美元已被指定用于开发 EUV，任何进展都将被保密，就像 麒麟 9010及其后续产品的情况一样。