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台积电也不是高通的救世主。OnePlus 10T中的骁龙8+1代接受测试

OnePlus 10T部署了Snapdragon 8+ Gen 1,它比OnePlus 10 Pro的Snapdragon 8 Gen 1略快且更省电。
OnePlus 10T部署了Snapdragon 8+ Gen 1,它比OnePlus 10 Pro的Snapdragon 8 Gen 1略快且更省电。
效率更高,发热更少。用户期望从三星转向台积电作为高通芯片组的SoC制造商,从而获得这些属性。然而,我们对OnePlus 10T的审查表明,Plus版本的骁龙8代1没有改变游戏规则。
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高通骁龙8代的高性能伴随着高废热,这已经不是秘密。这可以从某些评论中非常强烈的热量发展中看出 (Oppo Find X5, 小米12,摩托罗拉Edge 30 Pro),特别是在基准测试中,SOC的CPU和GPU单元都被置于重压之下。最终,这种废热问题导致性能强烈下降,在3DMark压力测试中导致明显的不稳定。

一加10T在基准测试中过热
一加10T在基准测试中过热

这种现象可能部分是由于三星生产过程中的动态因素,但我们对一加10T显示,骁龙8+第一代并没有从根本上解决发热问题。对台积电及其4纳米工艺的希望在某种程度上已经破灭了,至少在OnePlus 10T上是如此。尽管一加手机有一个新的Cryo Velocity Vapor冷却系统,以及骁龙8+ Gen 1形式的更高效的SoC,但我们测得的表面温度比一加10T高近47℃。 10 Pro。这种水平的废热也成为系统稳定性方面的一个问题,因为电压和过热保护措施经常启动。

Power Consumption: Geekbench (150 cd/m²)

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OnePlus 10T Adreno 730, SD 8+ Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø3.88 (0.779-7.97)
OnePlus 10 Pro Adreno 730, SD 8 Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø6.31 (1.89-11.3)
Xiaomi 12 Pro Adreno 730, SD 8 Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø6.81 (1.309-12.9)

然而,在效率方面,我们的测量表明,一加10T消耗的电量比配备 骁龙8代1的智能手机。.特别是在负载情况下,不到6瓦的峰值功率消耗明显低于 10 Pro,后者的耗电量超过11瓦。然而,正如GeekBench和GFXBench(亮度为150cd/m²时)数值的比较所表明的那样,效率的提高似乎只适用于Cryo CPU单元。

Power Consumption: GFX Bench (150 cd/m²)

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OnePlus 10T Adreno 730, SD 8+ Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø9.67 (7.25-10.7)
OnePlus 10 Pro Adreno 730, SD 8 Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø6.72 (5.35-8.45)
Motorola Edge 30 Pro Adreno 730, SD 8 Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø11.5 (10.4-12.5)
Xiaomi 12 Pro Adreno 730, SD 8 Gen 1, 256 GB UFS 3.1 Flash: Ø7.78 (6.94-8.13)

所有的测量、游戏测试和基准测试结果都可以在我们的详细评论中找到。一加10T.

资料来源

评论 一加10T

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Marcus Herbrich, 2022-08-22 (Update: 2022-08-22)