Galaxy S26：两款三星旗舰机充电速度将更快，2 纳米芯片几乎肯定会在欧洲上市
自今年年初以来，Galaxy S26 泄漏的频率急剧上升。这也难怪，因为大型 Galaxy 活动在旧金山举行的盛大 Unpacked 活动正在慢慢临近，尽管比近年来通常的时间稍晚了一些。今天，2026 年 1 月 14 日，过去曾提供过准确信息的泄密者 Ahmed Qwaider 也加入了泄密行列。虽然他在https://x.com/AhmedQwaider888/status/2011256976295207264虽然他在 X（原 Twitter）上发布的最新帖子没有透露任何突破性的消息，但确实证实了之前泄露和传言中一些未经证实的细节。
去年，有 Galaxy S26 的三款机型都将采用更快的充电速度。.虽然只有Galaxy S26 Ultra 才有望受益于 60 瓦的最大充电速度，但Galaxy S26 通过 USB-C 接口的 25 瓦限制也有望提高到 45 瓦，与 S25 Ultra 的最大值相同。 Galaxy S25 Ultra.泄密者现已证实了这一信息，并透露了Galaxy S26 系列在欧洲最可能的芯片组分布情况。
因此，Galaxy S26 Ultra 可能是国际上唯一采用 骁龙 8 第五代精英版而Galaxy S26 和Galaxy S26+ 将采用 Exynos 2600而Apple S26 和 S26+ 则将搭载全球首款 2 纳米芯片 Exynos 2600，远远早于 、高通和联发科预计在今年年底发布的 2 纳米处理器。虽然Galaxy S26 欧盟机型是否会采用 Exynos 2600 还不能百分百确定，但随着Galaxy S26 国际机型的 Geekbench GPU 跑分最近出现，证据越来越多。 最近出现。
