台积电3纳米良率落后于三星晶圆代工厂

此前有报道称 三星晶圆代工厂在3纳米节点上的表现相当不错，良品率达到60%。Mapple_Gold业内人士称，有一次良率高达75%。另一方面，根据韩国新闻媒体KMIB 的报道，台积电似乎仍在为其3纳米节点而苦苦挣扎。.

这家台湾芯片制造商的良率目前为55%。虽然没有提及N3的问题，但很可能是N3B，即第一个迭代版本。台积电决定坚持采用FinFET设计可能与良率不达标有关。

另一方面，三星的3纳米节点采用了较新的GAA FET技术，台积电将在其下一代芯片中采用该技术。 下一代芯片.Meeco的传言 的传言表明，台积电的困境可能不会很快结束，其2纳米节点的困境仍将持续。更糟糕的是，届时（2025年）的竞争将更加激烈，包括 英特尔代工服务公司将以其18A节点加入竞争。

尽管良率较高，但三星代工厂尚未吸引到客户。不过，这种情况可能很快就会改变，因为据报道，AMD将在其即将推出的一些人工智能和数据中心部件中使用其3纳米节点。随着Apple ，三星代工厂仍占据着3纳米产能的绝大部分份额，其他厂商如 高通 等其他厂商可能不得不将目光投向三星，尽管他们在 骁龙888和骁龙8代1的麻烦过去。

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