用于Galaxy 的骁龙8代4可能在三星的3GAP节点上制造；普通版将使用台积电N3E

即将推出的 骁龙8代3几乎已经确认将在台积电的N4P工艺节点上制造，这使其在理论上对基于台积电N3B的A17 Bionic处于不利地位。然而，如果泄密者@tech_reve最近发布的一条微博准确的话，明年的情况可能会更加复杂。是准确的。

显然，高通公司计划在明年将双源 骁龙8号第四代.该SoC的一个变体，可能被指定用于一般用途，将在台积电N3E上制造。另一方面，用于Galaxy ，其三星专用版本的骁龙8代4将在三星代工的3GAP节点上制造。有趣的是，梦之队芯片，又称 Exynos 2500，预计也将跟随其脚步。

虽然OEM厂商从两个不同的代工厂采购芯片并不罕见，但2015年Apple ，在A9上尝试了一次，灾难随之而来（还记得芯片门吗）。然而，这次只有三星的用户会受到影响，而不是一般的观众感受到压力。尽管如此，看看这两款骁龙8代4代产品在现实世界中的表现将会很有趣。

三星晶圆厂的业绩不甚理想，因此很容易将其产品视为劣质产品。然而，它的全门控晶体管设计可以帮助弥补类似规格的台积电产品在性能/热能/效率方面的巨大差距。这一点，再加上骁龙8号第四代的新型 Nuvia CPU内核和外部dGPU支持，可以为其提供急需的竞争优势，以应对Apple 。

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