SanDisk 推出首款 3D 矩阵存储芯片——目标是将每比特成本降至 DRAM 的二分之一

SanDisk 针对其实验性的 3D 矩阵存储器发布了一则虽小但意义重大的更新，称已利用标准 300 毫米硅晶圆生产出该新型存储技术首批芯片，并已将其封装以供进一步测试。 据该公司称，这些原型芯片已能存储数吉比特的数据，其性能已接近最终产品规划的规格。

3D矩阵存储器自2017年起开始研发，作为传统DRAM的潜在替代方案，但其三维结构与DRAM有着根本性的差异。SanDisk表示，该技术最终有望在提供与DRAM相当性能的同时，将容量提升至DRAM的四倍。该公司还计划将每比特成本降至传统DRAM的一半。

最新的原型机基于去年与SanDisk的研究合作伙伴Imec共同开发的测试平台。此后，SanDisk已开始在300毫米晶圆上堆叠多层存储层并制造原型机。目前，这些封装好的芯片正被用于进一步测试。 据该公司称，实验已经验证了容量达数吉比特的可正常工作的存储阵列。SanDisk还表示，其性能水平已非常接近其为潜在终端产品设定的规格。

不过，SanDisk 目前尚不准备讨论商业化上市事宜。SanDisk 首席技术官 Alper Ilkbahar 指出，3D Matrix Memory 仍是一个长期项目，该技术要进入市场可能还需要相当长的时间。

“项目正在推进，但属于长期规划。我们将持续向大家通报进展情况。”——阿尔珀·伊尔克巴哈尔。

闪迪最新的路线图对后续发展鲜有细节说明。早前的路线图曾显示计划推出32至64 Gbit的样品，但未给出具体推出时间表。

最新的路线图对后续发展鲜有细节说明。 早前的路线图曾显示有开发 32 至 64 Gbit 样品的计划，但未公布具体上市时间表。

目前，“3D 矩阵存储器”仍更多地是一个研究项目，而非在近期内真正取代 DRAM 的现实选择。 尽管如此，能够在标准的300毫米晶圆上制造多层原型、演示多吉比特存储器阵列，并实现接近公司目标规格的性能，标志着闪迪在开发新型高密度存储器这一长期努力中迈出了重要一步。

SanDisk 还正在研发另一项先进的存储技术——高带宽闪存（HBF）。与 3D Matrix Memory 不同，HBF 并未引入全新的存储架构。 相反，它本质上是通过堆叠传统的NAND芯片来提高带宽。该项目距离商业化更近一步。SanDisk表示，首个HBF设计已完成流片，预计明年将提供样品供验证。