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闪迪推出面向数据中心的 UltraQLC 256TB NVMe U.2 固态硬盘

Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 SSD 利用 Kioxia BiCS FLASH 3D 闪存技术实现了高容量。(图片来源:闪迪)
Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 SSD 利用 Kioxia BiCS FLASH 3D 闪存技术实现了高容量。(图片来源:闪迪)
闪迪推出 UltraQLC 256TB NVMe U.2 固态硬盘,专为数据中心和人工智能培训集群的海量数据存储而设计。它采用第八代 BiCS QLC NAND 架构,能以更低的功耗提供更快的性能。
Launch Server/Datacenter Business Storage

闪迪发布了面向企业客户(包括云提供商和人工智能训练超级集群)的 UltraQLC 256TB NVMe U.2 SSD。该产品将于 2026 年初上市。

如今,许多企业利用数据中心和云存储提供商存储企业信息、运行虚拟 Windows PC、向用户提供视频流以及训练人工智能。全球存储需求的总和早已超过了太字节(TB)、PB(1024 TB),甚至是单个 ZB(1021字节)。与此同时,电力需求也随着存储需求的增长而增加。

UltraQLC SSD 采用了 Kioxia 的第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术,在降低功耗的同时提高了每块硬盘的信息存储密度。与上一代 BiCS FLASH 存储器相比,最新一代的密度提高了 50%,写入速度提高了 20%,读取速度提高了 10%,同时写入功耗降低了 30%。

现代固态硬盘内存通常采用多层存储单元堆叠,以增加任何给定空间内的数据存储量。第八代 BiCS 内存堆叠了 218 层存储单元。由于热敏感性,控制这些单元的 CMOS 电路是在单独的晶片上制造的,然后使用 Kioxia 的 CMOS 直接粘合到阵列(CBA)技术粘合到 3D 存储单元晶片上。

读者可以在亚马逊上的闪迪商店看到该公司的消费固态硬盘产品

闪迪 UltraQLC 256TB NVMe U.2 固态硬盘采用了 Kioxia 的第八代 BiCS QLC CBA NAND 技术,提高了内存密度和性能。(图片来源:Kioxia)
闪迪 UltraQLC 256TB NVMe U.2 固态硬盘采用了 Kioxia 的第八代 BiCS QLC CBA NAND 技术,提高了内存密度和性能。(图片来源:Kioxia)
存储单元(粉红色线条上方)和 CMOS 控制电路(下方)分别在两个不同的晶片上制造,然后使用 Kioxa 的 CMOS 直接键合到阵列 (CBA) 技术进行键合。(图片来源:Kioxia)
存储单元(粉红色线条上方)和 CMOS 控制电路(下方)分别在两个不同的晶片上制造,然后使用 Kioxa 的 CMOS 直接键合到阵列 (CBA) 技术进行键合。(图片来源:Kioxia)
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David Chien, 2025-08- 9 (Update: 2025-08- 9)