三星的 HBM3E 增量超过需求，对价格和利润率造成压力

三星公司告诉投资者，第五代 HBM3E的扩产速度快于终端市场的需求。该公司预计这种不匹配 "暂时会对市场价格产生影响"。

管理层补充说，主流 DRAM 合同价格的上涨将在下半年侵蚀 HBM3E 与传统内存之间一度存在的利润率差距，即使销量增长也会限制利润率的上升空间。

就在 Nvidia 和 AMD 等客户将下一代人工智能加速器转向 12 层 HBM3E 时，该公司发出了上述警告。竞争对手 SK 海力士和美光已经在大规模生产这种密度更高的变体，这增加了在预期的需求浪潮完全实现之前库存增加的风险。

在内部，三星的半导体部门也面临着压力：由于出口管制和库存修正影响了业绩，季度营业利润同比下降 94%，降至 4000 亿韩元（约合 2.87 亿美元）。为了扭转颓势，该公司正在精简 HBM3E 的生产成本，以期夺回 Nvidia 的业务，因为这些业务大部分都被 SK Hynix 抢走了。

随着 HBM3E 出货量的攀升，内存收入比第一季度增长了 11%，三星计划在年底前提高 128 GB DDR5、24 GB GDDR7 和 8 代 V-NAND 的产量。165 亿美元的交易，用于制造特斯拉的下一代 AI6 芯片在德克萨斯州制造特斯拉下一代 AI6 芯片的 165 亿美元交易将进一步稳定代工厂的利用率，尽管美国对韩国商品征收 15% 的新关税给需求前景蒙上了阴影。

业内人士指出，三星已经提出了价格让步。与此同时，英伟达（Nvidia）验证了其 12 层堆栈，这表明下一周期的市场领导地位可能更多地取决于成本和良率，而不是主要带宽。如果三星能在竞争对手之前实现高产出、低成本，那么该公司就能在利润丰厚的人工智能内存领域夺回份额，但任何失误都有可能加剧供过于求的局面，而供过于求正威胁着 HBM3E 的定价。