三星宣布36Gbps GDDR7内存标准，旨在到2030年发布具有1000层的V-NAND存储解决方案

三星展示了新一波的内存解决方案和未来计划，为数据中心、服务器、移动、游戏和汽车市场带来指数级的性能提升。今年的三星技术日的内存亮点包括：提高容量的 DDR5内存的容量，宣布下一代GDDR标准，以及对V-NAND的未来展望。 V-NAND存储技术的未来愿景。

对于DRAM市场，三星正在加速1b的生产工艺，由于High-K等技术的应用，该工艺的规模超过了10纳米。该公司将很快推出DDR5密度，每块内存芯片为32Gb，比现有的16Gb增加2倍，比24Gb芯片增加33%。此外，8.5Gbps的 LPDDR5X用于手机和超极本的DRAM解决方案也有望在未来一年内得到更多的采用。定制的DRAM解决方案，如 HBM-PIM、AXDIMM、和 CXL将被进一步开发，以实现人工智能和神经网络应用的加速处理。

下一代GPU将受益于更快的RAM，因为这家韩国巨头宣布了GDDR7规格，传输率高达36Gbps。这个新标准应该比目前的速度提高50%。 24 Gbps GDDR6X一些Nvidia RTX 4000卡所提供的美光公司的芯片相比，这个新标准的速度应该提高50%。通过384位总线，GDDR7理论上可以提供1.7TB/s的带宽，但256位总线也仍然可以突破1TB/s的限制。

最后，但不是最不重要的，三星谈到了V-NAND存储内存芯片的改进。1 Tb TLC V-NAND芯片将在2022年底上市，第九代V-NAND的开发已经开始，首批芯片预计在2024年生产。三星的目标是在2030年前发布1000层的V-NAND解决方案。

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