三星晶圆代工厂的 2 纳米芯片预计将于 2025 年投入量产

去年早些时候，三星确认了其 2025 年的旗舰手机 AP--Exynos 2500。 Exynos 2500将在 三星代工厂的 3GAP 节点上制造。.这是经常被遗忘的 3GAA 节点的第二次迭代，该节点曾被用于制造加密货币挖矿 ASIC。Business Korea 的一份最新报告称称，该公司有望在明年开始量产其 2 纳米节点（SF2）。

三星Foundy将在今年晚些时候举行的VLSI（超大规模集成）研讨会上透露有关SF2的更多细节。它将用于开发 Arm 即将推出的 Cortex-X6 CPU内核。甚至高通公司（Qualcomm）也可能为其 骁龙 8 代 5GalaxySoC 芯片。当然，三星肯定也会把它用于自己的 Exynos 产品，以及日本 PFN 公司的 AI 芯片。 日本公司 PFN.

台积电的 2 纳米节点和英特尔的 18A 节点计划在同一时间投入量产，我们将拭目以待。由于英特尔 (RibbonFET ) 和台积电 ( Nanoset) 的竞争将非常激烈。）和台积电（Nanosheets)都拥有自己的全栅极晶体管，而三星在 2022 年通过MBCFET 在 2022 年实现。

此外，SF2 可能是三星晶圆代工厂第一个引入背面功率传输的节点，英特尔 18A (PowerVia) 和台积电 N2P 也将采用这种技术。有关背面功率传输工作原理的更多信息，请查看High Yield 在 YouTube 上提供的精彩讲解。.