浙江大学的研究人员取得了一项突破,使高性能激光器更容易直接集成到硅芯片上,从而为开发更快、更高效的计算机和智能手机铺平了道路。
工程师们一直在寻找利用光进行片上通信的方法,以开发速度更快的计算设备,但事实证明,适用于这一目的的激光材料很难与标准硅技术相结合,而且成本高昂。虽然过氧化物晶石已被证明是潜在的低成本选择,但它们一直受制于一个关键缺陷--奥杰尔重组。这是一种耗能效应,使它们无法以计算所需的连续或接近连续的模式运行。
浙江大学的研究团队现已利用一种添加剂克服了这一障碍。根据他们发表在《先进光子学》(Advanced Photonics)杂志上的论文,他们的新方法在制造过程中使用了一种化学添加剂。这种添加剂增强了过氧化物的晶体结构,抑制了奥格重组效应,从而实现了热到光的高效转换。
研究人员利用这种新材料制造了一种激光器,并称这种激光器在近连续模式下达到了有记录以来包晶体激光器的最佳性能--在准连续纳秒泵浦条件下,激光阈值为每平方厘米17.3微焦耳,品质因数为3850。这一突破可为先进的光子芯片铺平道路,从而为电子设备带来 更强大的电子设备处理器.
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