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带宽 vs. IOPS vs. 效率:Samsung 为 AI 应用开发三种新型 NAND 存储

三星高管 Jin-Yub Lee 亮相 FMS 2026
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Samsung Electronics 目前正在研发新一代闪存。据报道,该公司并非提供一刀切的 SSD 存储解决方案,而是在开发三种针对特定 AI 用例定制的 NAND,其中一些针对设备端应用进行了优化,另一些则针对数据中心进行了优化。
Storage Business AI

据韩国科技媒体 Zdnet 援引业内消息报道,Samsung Electronics 正在开发三款针对特定应用的 NAND 存储系统。目前,Samsung 仅正式公布了第一款型号 zNAND-O,但据 Zdnet 报道,该公司还有另外两种型号正在研发中。以下是全部三款型号:

zNAND-O – 端侧 AI 的高效之选

这种类型的存储器专为本地 AI 应用设计。为缩短数据路径并提高速度和能效,NAND 芯片以四层或八层堆叠,并通过 TSV(硅通孔)连接。在这种情况下,性能的重要性略低于效率,因为 AI 应用旨在本地运行,同时尽可能降低功耗。

zNAND-T – 最大数据带宽

这一变体更侧重于高性能 AI 数据中心,因此其闪存设计旨在处理单位时间内特别庞大的数据量。这里的一个关键术语是高带宽闪存(HBF)。最终目标是尽可能快速地传输大量数据。

目前只有 zNAND-O 已公开亮相。另外两款系统尚未得到官方确认,仍处于开发早期阶段。

此举表明,Samsung 正在效仿竞争对手 SK Hynix 的策略,后者也在开发三种专用 NAND。从长远来看,这一做法可能加剧 AI 存储市场的竞争,并将 NAND 闪存的用途拓展至传统 SSD 应用之外。

来源

Zdnet, Samsung (1, 2)

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Christian Hintze, 2026-10-12 (Update: 2026-10-12)