高负载下比SD卡还慢：iPhone 18 Pro Max的QLC存储经受测试
哔哩哔哩频道 HOMOLAB 对 1TB 版 iPhone 18 Pro Max 进行了实际存储性能测试，结果表明，一旦对其进行高强度读写，其闪存速度可能会急剧下降，尤其是在存储空间逐渐填满时。
如今大多数手机都采用TLC（三阶单元）闪存，每颗存储单元可存储3位数据，自3D NAND问世以来，这种技术在速度、容量和耐用性之间实现了良好的平衡。 而1TB版iPhone 18 Pro Max则采用了QLC（四级单元）存储技术，每个存储单元可存储4比特数据。这意味着在相同的物理芯片上能获得更大的容量，但每个存储单元必须区分更多可能的状态，因此QLC通常比TLC速度更慢、耐用性更低。
HOMOLAB 通过与采用 TLC 存储的 512GB iPhone 18 Pro 进行直接对比，证实了这一点。在加权 4K 读取测试中，两者的表现相当接近：QLC 机型得分为 46,045，而 TLC 机型得分为 51,282。 在混合读写工作负载下，差距进一步拉大：在低队列深度下，TLC机型领先约38%（11,285 对比 8,168）， 但在更重、要求更高的负载下，差距缩小至约12%（35,992 对比 32,219）。
与大多数现代手机一样，iPhone 18 Pro Max 采用了一个小而快的 SLC（单级单元）缓存来处理快速的数据突发，在缓存空间充足时，速度可超过 3,000 MB/s。 一旦该缓存耗尽，手机便会转而使用一个模拟 TLC 存储的二级缓冲区，其速度仍快于原始 QLC 存储，平均速度为 578 MB/s，但存在较大波动。 只有当该二级缓冲区也耗尽后，手机才会直接写入原始 QLC 存储；HOMOLAB 的测试显示，此时持续写入速度平均仅为 79.4 MB/s，最低甚至跌至 25.6 MB/s——这甚至比许多入门级 microSD 卡还要差。
随着硬盘空间逐渐被占用，情况会变得更糟。 当容量达到 60% 时，可用空间的减少导致快速缓存的容纳空间变小，可用 SLC 缓存从空盘时的约 250GB 骤降至仅 58GB。模拟 TLC 的缓冲区速度也随之减慢，平均速度为 396 MB/s，而空盘时为 578 MB/s， 而原始 QLC 写回阶段的速度进一步下降，平均为 45 MB/s，最低时仅为 1.1 MB/s——在类似的重负载下，这一表现远逊于其他旗舰手机中基于 TLC 的 UFS 4.0 存储方案。
就定价而言，尽管1TB版本采用的存储类型通常被认为比低容量配置中使用的存储类型要低一档，但其存储容量加价幅度却是业内最高的之一。
对于大多数日常任务——发短信、浏览网页和拍摄休闲照片——这可能不会被察觉，因为缓存能很好地处理典型的突发写入。 但在持续高强度写入过程中，例如长时间的 4K 或 ProRes 视频录制、大文件传输或备份还原时，这便会成为一个真正的问题。而这些恰恰是高容量型号购买者最有可能遇到的使用场景。
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