三星提出GDDR6W标准，容量比GDDR6X翻倍，带宽几乎与HBM2E相当

三星在推出GDDR6W规格不到2个月后，又宣布了GDDR6W规格。 GDDR7规格。看起来集成GDDR7 VRAM芯片的产品可能还需要一段时间才能进入市场，因为三星声称GDDR6W VRAM产品的JEDEC标准化已经在今年第二季度完成，这家韩国巨头正计划尽快将这个标准引入笔记本和高性能计算领域。除了提供更高的带宽，加上双倍的容量和I/O引脚，比起 24 Gbps GDDR6X芯片，GDDR6W标准还采用了革命性的FOWLP（扇出式晶圆级封装）设计，允许不变的足迹，因此集成商可以使用与GDDR6X相同的生产工艺，减少实施时间和成本。

现在，每个芯片的容量从16Gb增加到32Gb，而I/O引脚数量从32个增加到64个。这不仅意味着比GDDR6X减少了50%的面积，而且FOWLP还通过取消PCB底层，用集成了VRAM芯片本身的硅片代替，将芯片的高度从1.1毫米降低到0.7毫米。

就原始带宽而言，三星表示GDDR6W VRAM几乎可以以更有效的方式匹配HBM标准。虽然 HBM2E芯片的系统级带宽为1.6TB/s，有4096个I/O引脚，每个引脚的传输速率为3.2Gbps，而新的GDDR6W标准提供1.4TB/s带宽，有512个I/O引脚，每个引脚的传输速率为22Gbps。将I/O通道的数量减少8倍，基本上就不需要中间层，对产品集成商来说更有成本效益。作为参考，GDDR6X提供高达1.1TB/s的带宽，因此GDDR6W将快30%。另一方面，GDDR7预计将在384位总线上提供1.7TB/s的带宽。

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