美光公司的 DDR5 模块采用 EUV 光刻技术，速度达到 9200MT/s

美光科技刚刚成为首家出货采用其第六代 10 纳米级 DRAM 节点（也称为 1γ（1-gamma））制造的 DDR5 模块样品的内存制造商。美光在其制造工艺中首次采用了 EUV（极紫外线）光刻技术，这在速度、能效和产量方面都带来了显著的提升。

得益于这种新方法，美光的 16 GB DDR5 IC 速度最高可达 9200MT/s。与之前的 1β（1-beta）代同时功耗降低了 20% 以上。此外，更新后的生产技术将比特密度提高了 30%，一旦生产工艺成熟，这将有助于降低成本。

"美光执行副总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示："美光在开发专有DRAM技术方面的专长与我们对EUV光刻技术的战略性使用相结合，形成了基于1γ的尖端内存产品的强大组合，有望推动人工智能生态系统向前发展。

美光计划在未来广泛的内存解决方案中使用 1γ 节点，其中包括

数据中心应用：提供快达 15% 的性能和更好的能效，以控制功耗和热量。

移动设备：LPDDR5X 变体将支持智能手机或平板电脑上的尖端人工智能体验。

汽车系统： 运行速度高达9600MT/s的LPDDR5X将扩大容量、延长产品寿命并提供更强的性能。

AMD 和英特尔已经开始验证美光的全新 DDR5 产品线。AMD 服务器平台解决方案工程公司副总裁 Amit Goel 强调了这一合作如何与公司不断改进 EPYC 处理器和面向消费者的硬件的努力相一致。与此同时，英特尔公司的 Dimitrios Ziakas 博士提请大家注意，改进的能效和更高的密度将有利于服务器环境和人工智能驱动的 PC。

目前，美光在日本的工厂生产这些 1γ DRAM 芯片，该公司于 2024 年在日本推出了首个 EUV 光刻系统。随着产量的增加，美光计划在日本和台湾的工厂安装更多的 EUV 设备。