新奥半导体推出3D X-DRAM，全球首款容量为128Gb的类3D NAND RAM芯片

美国3D NAND闪存生产商尼欧半导体公司正在推出其3D X-DRAM内存芯片，据说这是世界上第一个 三维NAND-般的DRAM，其容量大大超过了目前的 2D DRAM解决方案.3D X-DRAM技术的第一次迭代可以达到128Gb的密度，每个芯片有230层，比目前的2D DRAM芯片高8倍。尼欧半导体认为，与其他3D DRAM替代方案相比，这种解决方案更容易扩展，实施成本也更低，这使它成为在不久的将来取代2D DRAM的可靠候选方案。

三维X-DRAM技术的优势在于采用了创新的浮动体单元（FBC）设计，利用一个晶体管和零电容将数据存储为电荷。与其他试图提出更复杂的新设计的3D DRAM替代品不同，3D X-DRAM利用了当今成熟的3D NAND工艺，因此只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种方法可以大大简化生产、实施和从2D DRAM过渡的过程。

Neo Semiconductor已经在今年4月6日向美国专利局公布了所有相关专利申请。该公司决心在行业内推动3D X-DRAM的发展，将其作为一种必要的解决方案，以满足因以下领域的快速发展而带来的日益增长的高性能和大容量内存需求 人工智能.根据尼欧半导体的估计，到2025年，内存容量可以翻倍到256Gb，而在十年内可以提供1Tb的容量。更多信息将在2023年8月9日的闪存峰会上发布。

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