高端 3 纳米三星智能手机 SoC 芯片问世

三星即将推出的旗舰移动 SoC 刚刚录制完成。这意味着该芯片的设计已经定型，可以投入量产。Synopsys 的一篇博文称，该芯片是在三星代工厂的一个未指定的 3 纳米节点上实现的。很有可能是第二代迭代产品 SF3 (3GAP)。

加上 三星早些时候的声明关于未来 3 纳米 Exynos SoC 的声明，这表明有关芯片是假定的 Exynos 2500将为 Galaxy S25系列。三星 LSI 副总裁 Kijoon Hong 就这一进展发表了以下看法：

我们长期以来的合作已经带来了领先的 SoC 设计。此次与Synopsys合作，在最先进的移动CPU内核和SoC设计上成功实现最高性能、功耗和面积，是一个了不起的里程碑。

Symopsys的人工智能驱动软件套件帮助三星将时钟频率提高了300 MHz，功耗降低了10%。这有可能使 Exynos 2500 的主要 Cortex-X5 内核工作频率高达 3.6 GHz。无论 联发科 Dimensity 9400是否能与这些时钟相匹配，还有待观察。据传，骁龙 8 代 4G 处理器的性能内核主频可达 4.0GHz。 骁龙 8 代 4赢得了时钟速度竞赛，至少现在是这样，因为我们不知道 Apple A18 Pro的运行速度。