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据报道,三星晶圆代工厂的 3 纳米良品率在 "50% 的中高水平"。

三星 3 纳米工艺的良率仍有待提高(图片由 DAL- E 3.0 生成)
三星 3 纳米工艺的良率仍有待提高(图片由 DAL- E 3.0 生成)
据一家韩国媒体报道,三星 3 纳米工艺的产量不足 60%。三星早些时候证实,明年的 Exynos 2500 SoC 将采用该工艺制造。英伟达(Nvidia)和高通(Qualcomm)等其他公司的未指明产品也计划采用该工艺。
5G ARM Leaks / Rumors

据传,三星代工厂(Samsung Foundry)将凭借即将推出的 3GAP 节点在半导体制造领域卷土重来。业界大佬如 IBM、英伟达(Nvidia)和高通(Qualcomm可能是由于台积电的产能问题,它们已经签约加入。不过,韩国新闻媒体DealSite.co.kr 的一篇(机器翻译)报道称,芯片制造商仍有一些问题需要解决。的报道称,这家芯片制造商仍有一些问题需要解决。

据称,三星晶圆代工厂 3 纳米节点(未说明 3 GAA/3 GAP)的良率仍处于 "50%的中高水平"。这符合 早先的传言60%左右。行业分析师称,"GAA 工艺方法尚不稳定",这也是数据不理想的原因。值得庆幸的是,其 4 纳米节点的情况要好一些,良品率约为 75%。这对谷歌来说是个好消息,因为其 Tensor G4SoC 将在三星 在三星 4LPP+ 上制造。

不过,如果三星希望在未来与台积电和英特尔代工厂竞争,就必须提高产量。 三星必须在 3 GAP 节点上取得成功,因为它将用于三星必须在 3 GAP 节点上取得成功,因为它将用于制造明年的 Exynos 2500三星必须在 3 GAP 节点上取得成功,因为它将用于制造明年的 Exynos 2500 芯片,这款芯片被誉为三星重返移动 AP 统治地位的标志。它将为其后续产品(SF2)打下基础,据称高通公司(Qualcomm)将用它来制造其 骁龙 8 代 5GalaxySoC 和 Arm 的 Cortex-X CPU 内核.

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Anil Ganti, 2024-03- 6 (Update: 2024-03- 6)