三星晶圆代工厂 2 纳米良品率显著提高，但也存在一些主要问题

与台积电不同，台积电已经 在其 2 纳米级 N2与台积电不同，三星晶圆代工尚未达到这一梦寐以求的里程碑。然而，来自韩国新闻媒体Munhwa 的最新报道称，新兴芯片制造商已经接近这一目标。 的最新报道称，这家新成立的芯片制造商已经接近目标，目前的良品率在 40-50% 之间。这一数字明显高于 30% 的估计数字明显高于二月份报道的 30%。在不知道芯片裸片尺寸的情况下，良品率本身并不重要，但在这种情况下，它可能与智能手机 SoC（约 150^平方毫米）差不多。

这预示着 Exynos 2600芯片的预兆。 Galaxy S26Galaxy S26+，甚至可能是明年的Galaxy S26 Ultra。此外 骁龙 8 精英 2Galaxy 的骁龙 8 Elite 2 据传也是在同一节点上制造的，但预计要到 2026 年下半年才会推出，届时可能会与 Galaxy Z Fold 8和Galaxy Z Flip 8。

尽管如此，X泄密者和半导体分析师Jukanlosreve 说，产量的提高是有代价的。显然，三星不得不在性能上做出妥协，以获得正常工作的芯片。这意味着 SF2 在原始性能方面将再次落后于台积电的 N2 节点。这可能会导致普通 骁龙 8 精英 2(台积电 N3P）和骁龙 8 精英 2（Galaxy ）之间的性能差距。

更糟糕的是，三星曾因其 3 纳米节点基于 GAAFET 而获得短暂优势，但 2 纳米节点已不再如此，因为 N2 采用的是纳米片，从根本上说是相同的技术。或许三星下一代产品 SF2P 的情况会有所好转，据 Jukanlosreve 称，SF2P 将被宣传为 "真正的 "2 纳米节点。