据报道，高通公司正与三星代工厂洽谈 2 纳米智能手机 AP；泄密者称这可能是骁龙 8 代 5 处理器。Galaxy

去年早些时候 去年早些时候称高通公司计划将三星代工厂的尖端节点用于其旗舰芯片。然而 随后的报道但随后的报道默认了高通公司将在骁龙 8 代 4 芯片上专门使用台积电的 N3E 节点。 骁龙 8 代 4从而有效地粉碎了双重采购的传言。Etnews的一篇报道称，这些传言并不完全不实，高通公司将与三星公司合作生产其 2025 年的旗舰芯片。

据称，芯片制造商已要求三星在其 2 纳米 SF2 节点上制造智能手机 AP。三星的路线图指出，该工艺采用了其 GAA MBCFET（栅极多桥沟道场效应晶体管）技术，将于 2025 年实现量产。这是在 Exynos 2500据说是在当前一代三星 3GAP 节点的组装线上投产一年之后。报道还称，其后续产品 Exynos 2600（暂定）也将采用相同的 SF2 节点。

熟悉内情的消息人士告诉 Etnews，高通公司还要求台积电开发其 2 纳米芯片。台积电的路线图指出，其基于 GAAFET 的 2 纳米 N2 节点将于 2025 年准备就绪。然而，由于像Apple 这样的厂商历来会在新节点上获得大部分产能，因此最初的可用性可能是个问题。这可能会迫使高通公司在 2025 年的产品中采用 N4P 等较老的节点。如果台积电没有能力满足高通公司的需求，那么有关的 2 纳米 SoC 有可能被推迟到 2026 年。

知名 X 泄密者@Tech_Reve认为这款神秘芯片就是骁龙 8 代 5。他们补充说，Galaxy ，骁龙 8 代 5 将由三星代工厂制造，普通版本将在台积电的 N3P 节点上制造。SF2 节点据说是为高通公司定制的，类似于台积电为英伟达（Nvidia）定制的用于 Ada Lovelace GPU 的 4N 节点。从纸面上看，这应该会使Galaxy 的骁龙 8 代 5 比其普通版本更具优势，从而有可能形成类似芯片门的局面。

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