三维芯片：麻省理工学院研究人员推出新技术，智能手机性能或将大跃进

多年来，电子行业一直寻求在复杂电路中使用氮化镓（GaN）。氮化镓是一种比硅更快、更省电的半导体，但其高昂的成本限制了它的应用。将整个氮化镓晶片粘合到硅上的传统方法成本高昂，阻碍了氮化镓的广泛应用。

新工艺取消了将氮化镓晶片与硅片粘接在一起的做法，而是在硅片上粘接氮化镓晶体管。因此，新工艺降低了成本，提高了速度和效率。这种工艺是由麻省理工学院的研究人员与业界合作伙伴共同发明的。

研究人员通过切割出单个氮化镓晶体管（称为晶粒）来实现这一工艺，晶粒的尺寸为 240 x 410 微米。每个晶体管的顶部都有微小的铜柱，他们利用这些铜柱直接与标准硅 CMOS 芯片表面的铜柱粘合。与使用金键合的传统方法相比，这种低温铜对铜键合技术成本更低、导电性更强，而且与标准半导体代工厂的兼容性更好。

研究小组利用这种工艺制造出了一种功率放大器，其信号强度高于目前智能手机中使用的纯硅芯片，同时功耗更低。这显示了在 5G/6G 和物联网设备中的应用前景。由于氮化镓在低温条件下也能茁壮成长，因此这种芯片在量子计算领域也大有可为。

如果这项技术实现商业化，智能手机和其他消费类设备的性能将得到显著提升，为更先进的设备上人工智能模型提供所需的动力。 设备上的人工智能模型所需的动力。.与此同时 三星Galaxy S25 Ultra(亚马逊上目前售价 1,219 美元）仍然是具备设备上人工智能功能的最强大智能手机之一。

注：未报告详细的性能统计/比较。